จนถึงตอนนี้ แผงโซลาร์เซลล์ชนิดโมโนคริสตัลไลน์ซิลิคอน มีการพัฒนาอย่างรวดเร็วทั้งในด้านการวิจัยและอุตสาหกรรม

ท่ามกลางปัจจัยหลายอย่างที่ส่งผลต่อเซลล์ C-Si การปรับปรุงคุณภาพของซิลิคอนเวเฟอร์ทำให้การรวมตัวกันใหม่จำนวนมากมีขนาดเล็กลงและเล็กลง และการพัฒนาชั้นทู่ใหม่และเทคโนโลยีการเตรียมพวกมันช่วยลดการรวมตัวกันของพื้นผิวได้อย่างมาก ในหมู่พวกเขา การรวมตัวกันอีกครั้งของอิเล็กโทรดโลหะและหน้าสัมผัส C-Si กลายเป็นปัจจัยสำคัญที่ส่งผลต่อประสิทธิภาพของเซลล์ และถือเป็นปัจจัยจำกัดสุดท้ายที่ใกล้เคียงกับประสิทธิภาพขีดจำกัดทางทฤษฎี เพื่อลดการรวมตัวกันใหม่ที่จุดสัมผัสระหว่างโลหะและ C-Si ในแง่หนึ่ง พื้นที่สัมผัสโดยตรงระหว่างโลหะและ C-Si จะลดลงโดยการเปิดรูบางส่วนที่ด้านหลังเซลล์ (รวมถึง PERC, PERL, และ PERT เป็นต้น) แม้ว่าประสิทธิภาพการแปลงจะอยู่ที่หรือใกล้เคียง 25% แต่ก็ยังมีการสัมผัสโดยตรงระหว่างโลหะและ C-Si ในเซลล์เหล่านี้ กระบวนการเปิดด้านหลังนั้นซับซ้อน และจะทำให้วัสดุซิลิกอนเสียหายที่ช่องเปิด

นอกจากนี้ เทคนิคการเปิดเฉพาะจุดทำให้พาหะไม่เพียงแต่เบี่ยงเบนจากเส้นทางการอพยพที่ตั้งฉากกับพื้นผิวสัมผัสเท่านั้น แต่ยังอาจเบียดเสียดกันที่ช่องเปิด ซึ่งนำไปสู่การสูญเสียปัจจัยการเติม ในทางกลับกัน แผนการสัมผัสแบบใหม่จำเป็นต้องได้รับการพัฒนาเพื่อให้สามารถบรรลุทั้งการเคลือบพื้นผิวที่ยอดเยี่ยมและการแยกตัว และการขนส่งตัวพาโดยไม่ต้องใช้ช่องเปิด เช่น หน้าสัมผัสทู่แบบเลือกตัวพาหะ วิธีการแก้ปัญหานี้สามารถรับรู้ถึงการทู่ของพื้นผิวทั้งหมดของซิลิคอนเวเฟอร์ (รวมถึงพื้นที่สัมผัสและพื้นที่ที่ไม่สัมผัส) และในขณะนี้ ตัวพาเป็นการขนส่งแบบมิติเดียวระหว่างอิเล็กโทรดที่ปลายทั้งสอง ซึ่งเป็นประโยชน์ต่อ รับปัจจัยการเติมที่สูงขึ้น จากนั้นปรับปรุงประสิทธิภาพการแปลง