โมโนคริสตัลไลน์ซิลิคอนโดยทั่วไปได้รับโดยวิธี Czochralski (วิธี CZ) ในการได้มาซึ่งส่วนประกอบของ แผงโซลาร์เซลล์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ . ผลึกเมล็ดผลึกเดี่ยวของการวางแนวคริสตัลเฉพาะจะใช้สำหรับการเพาะ และซิลิกอนผลึกเดี่ยวของการวางแนวคริสตัลเป้าหมายได้มาจากการหมุนและดึง ผลิตภัณฑ์ที่ได้ประกอบด้วยเม็ดคริสตัลเพียงเม็ดเดียวและมีลักษณะของข้อบกพร่องต่ำและประสิทธิภาพการแปลงสูง ในปัจจุบัน ประสิทธิภาพการแปลงของการผลิตเซลล์โมโนคริสตัลไลน์ซิลิคอนขนาดใหญ่สูงถึง 18% แต่วิธีนี้มีความต้องการวัตถุดิบและการดำเนินงานสูง และมีการป้อนเพียงครั้งเดียวน้อยลง ต้นทุนผลิตภัณฑ์สูง และการลดทอนเซลล์แสงอาทิตย์ขนาดใหญ่

Polycrystalline silicon ส่วนใหญ่ผลิตโดยวิธีการแข็งตัวแบบทิศทาง มีลักษณะของปริมาณการป้อนครั้งเดียวที่มาก ใช้งานง่าย และต้นทุนต่ำ การลดทอนของเซลล์นั้นเล็กกว่าของเวเฟอร์โมโนคริสตัลไลน์ซิลิคอนมาก มักจะมีขอบเขตของเกรนและข้อบกพร่องจำนวนมาก ซึ่งทำให้ประสิทธิภาพการแปลงของเซลล์แสงอาทิตย์แบบโพลีคริสตัลไลน์ซิลิคอนต่ำกว่าเซลล์แบบโมโนคริสตัลไลน์ซิลิคอนประมาณ 1.5% ถึง 2%

แกนหลักของเทคโนโลยีผลิตภัณฑ์กึ่งเดี่ยวคือเทคโนโลยีผลึกเดี่ยว ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกับผลึกเดี่ยวหรือแม้แต่ผลึกเดี่ยวทั้งหมดที่ผลิตโดยกระบวนการหล่อหลอมรวมข้อดีของซิลิคอนผลึกเดี่ยวและซิลิคอนโพลีคริสตัลไลน์ เมื่อเทียบกับโพลีคริสตัลไลน์ ซิลิคอนเวเฟอร์กึ่งโมโนคริสตัลไลน์มีขอบเขตเกรนน้อยกว่าและความหนาแน่นของการเคลื่อนที่ต่ำ: ประสิทธิภาพการแปลงของเซลล์แสงอาทิตย์สูงถึง 17.5% เมื่อเปรียบเทียบกับเวเฟอร์ซิลิคอนผลึกเดี่ยว การลดทอนด้วยแสงของเซลล์ผลึกกึ่งเดี่ยวจะต่ำกว่าประมาณ 1/4~1/2;

ประสิทธิภาพสูง กระบวนการหั่นง่าย และต้นทุนต่ำ

การควบคุมการวางแนวผลึก ความหนาแน่นของการเคลื่อนที่ ความเข้มข้นของคาร์บอนและออกซิเจน และการกระจายสิ่งเจือปนของเวเฟอร์ซิลิคอน ตลอดจนปัญหาข้างเคียง จะส่งผลโดยตรงต่อประสิทธิภาพของเซลล์ แตกต่างจากโพลีคริสตัลไลน์ทั่วไป ผลิตภัณฑ์กึ่งโมโนคริสตัลไลน์เหมาะสำหรับกระบวนการสร้างพื้นผิวอัลคาไลมากกว่า โดยสร้างพื้นผิวที่มีพื้นผิวเป็นปิรามิดกลับด้าน ซึ่งสามารถปรับปรุงประสิทธิภาพของเซลล์สำเร็จรูปได้อย่างมาก

ผลึกกึ่งเดี่ยวไม่เพียงแต่เป็นวิธีที่เป็นไปได้สำหรับเวเฟอร์ซิลิคอนที่มีประสิทธิภาพสูงเท่านั้น แต่ยังเป็นวิธีสำหรับโรงหล่อโลหะเพื่อลดต้นทุนอีกด้วย แต่ก็ใช่ว่าจะไม่มีข้อบกพร่อง